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一、培養(yǎng)目標(biāo)
應(yīng)具有較堅(jiān)實(shí)的數(shù)學(xué)、物理基礎(chǔ)知識(shí)，掌握本學(xué)科堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)及系統(tǒng)的專門知識(shí)，掌握相關(guān)的實(shí)驗(yàn)技術(shù)及計(jì)算機(jī)技術(shù)。掌握一門外語(yǔ)，具有從事科學(xué)研究工作及獨(dú)立從事專門技術(shù)工作的能力以及嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)的科學(xué)態(tài)度和工作作風(fēng)，能勝任研究機(jī)構(gòu)、高等院校和產(chǎn)業(yè)部門有關(guān)方面的教學(xué)、研究、工程開發(fā)及管理工作。
二、研究方向
本學(xué)科的研究方向有如下方面：
1．物理電子學(xué)
帶電粒子光學(xué)現(xiàn)代理論和計(jì)算技術(shù)，微納米器件電子束加工與檢測(cè)技術(shù)，強(qiáng)流電子束物理和高功率微波技術(shù)，氣體與等離子體電子學(xué)，信息顯示器件與技術(shù)，納光子學(xué)基礎(chǔ)理論和實(shí)驗(yàn)技術(shù)，新型光子材料與器件，紫外光信息存儲(chǔ)，光通信器件和全光網(wǎng)絡(luò)。
2．電路與系統(tǒng)
VLSI電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)，電路與系統(tǒng)CAD及設(shè)計(jì)自動(dòng)化，數(shù)字圖象與數(shù)字視頻處理，功率電子學(xué)，非線性電路與系統(tǒng)，信息顯示系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。
3．微電子學(xué)與固體電子學(xué)
深亞微米器件模型與仿真，微波功率器件及其集成，化合物半導(dǎo)體器件；深亞微米工藝集成；片上系統(tǒng)、超大規(guī)模集成電路及ASIC設(shè)計(jì)與測(cè)試；微電子機(jī)械系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造；納米電子材料與器件，電子陶瓷材料與器件，鐵電單晶材料，鐵電薄膜與器件，機(jī)敏材料與器件，納米復(fù)合功能材料與器件，電解質(zhì)材料與器件。
4．電磁場(chǎng)與微波技術(shù)
電磁場(chǎng)理論與技術(shù)：電磁場(chǎng)理論與應(yīng)用，天線理論與技術(shù)，電波傳播，復(fù)雜介質(zhì)中的場(chǎng)與波，電磁散射與逆散射，環(huán)境電磁學(xué)與電磁兼容技術(shù)，計(jì)算電磁學(xué)。微波與毫米波理論與技術(shù)：微波電路，微波網(wǎng)絡(luò)，微波集成電路，微波測(cè)量理論與技術(shù)，微波信息處理與成象。
三、學(xué)習(xí)年限
全日制攻讀碩士學(xué)位的學(xué)習(xí)年限2.5～3年。
四、培養(yǎng)方式
1．在指導(dǎo)上采取導(dǎo)師負(fù)責(zé)與學(xué)術(shù)群體集體培養(yǎng)相結(jié)合的方法。導(dǎo)師應(yīng)根據(jù)本方案的要求，在碩士生入學(xué)后1周內(nèi)，制訂出碩士生的培養(yǎng)計(jì)劃。
2．對(duì)碩士生的培養(yǎng)采取課程學(xué)習(xí)和論文工作并重的方式，兩者均不得少于一年。
3．碩士生課程學(xué)習(xí)總學(xué)分要求為26學(xué)分，其中學(xué)位課不少于18學(xué)分；其他學(xué)分可從全校范圍內(nèi)選修課程獲得。另外要求必修環(huán)節(jié)4學(xué)分，其中講座環(huán)節(jié)2學(xué)分，實(shí)踐環(huán)節(jié)2學(xué)分。
4．碩士生的學(xué)習(xí)以授課與課堂討論形式進(jìn)行。碩士生必須參加全校范圍的 “學(xué)術(shù)講座”及與學(xué)科緊密相關(guān)的“學(xué)科前沿系列專題講座”。要求碩士生在全校范圍內(nèi)選聽“學(xué)術(shù)講座”講座8次，完成后記1學(xué)分；至少選聽一個(gè)系列“學(xué)科前沿系列專題講座”，完成后記1學(xué)分。
5．完成實(shí)踐能力的鍛煉。
五、課程學(xué)習(xí)
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課程類別
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序號(hào)
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課程名稱
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學(xué)分
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公共
學(xué)位課
（必修）
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1
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科學(xué)社會(huì)主義理論與實(shí)踐
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1學(xué)分
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2
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自然辯證法概論
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2學(xué)分
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3
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第一外語(yǔ)（英語(yǔ)）
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4學(xué)分
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專
業(yè)
學(xué)
位
課
?。ㄟx
修
11
學(xué)
分）
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1
|
半導(dǎo)體器件物理
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3學(xué)分
|
|
2
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晶體的物理性質(zhì)
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3學(xué)分
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|
3
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量子電子學(xué)
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2學(xué)分
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4
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信息光學(xué)
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3學(xué)分
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5
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現(xiàn)代電路理論
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2學(xué)分
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6
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超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)
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2學(xué)分
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7
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高等電磁理論
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3學(xué)分
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8
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微波有源和無(wú)源電路原理
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3學(xué)分
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9
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計(jì)算方法（A）或
計(jì)算方法（B）
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3學(xué)分
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10
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工程優(yōu)化方法及其應(yīng)用
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2學(xué)分
|
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實(shí)踐
?。ū匦蓿?/span>
|
1
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講座
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2學(xué)分
|
|
2
|
實(shí)踐環(huán)節(jié)
|
2學(xué)分
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六、學(xué)位論文
論文要求
1．碩士生在論文開始前要進(jìn)行文獻(xiàn)閱讀和綜述、生產(chǎn)實(shí)際的調(diào)查研究，并至遲在第三學(xué)期末提出學(xué)位論文的書面選題報(bào)告，經(jīng)導(dǎo)師同意和學(xué)術(shù)群體審定確認(rèn)后，制訂論文工作計(jì)劃，開展研究工作。論文選題必須對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)或在學(xué)術(shù)上有一定的意義。
2．論文必須由碩士生在導(dǎo)師指導(dǎo)或?qū)W術(shù)群體的幫助下獨(dú)立完成，并根據(jù)《中華人民共和國(guó)學(xué)位條例暫行實(shí)施辦法》的精神進(jìn)行評(píng)審和答辯。
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